半導体部門のサムスンファウンドリは、華城の工場で3nmチップの生産を開始したと発表した。 FinFet テクノロジーを使用していた前世代とは異なり、韓国の巨人は現在、エネルギー効率を大幅に向上させる GAA (ゲートオールアラウンド) トランジスタ アーキテクチャを使用しています。
MBCFET (マルチブリッジチャネル) GAA アーキテクチャを備えた 3nm チップは、電源電圧を下げることにより、とりわけエネルギー効率が向上します。サムスンはまた、高性能スマートフォンチップセット用の半導体チップにナノプレートトランジスタを使用しています。
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ナノワイヤー技術と比較して、より広いチャネルを備えたナノプレートにより、より高いパフォーマンスとより優れた効率が可能になります。ナノプレートの幅を調整することで、Samsung の顧客はパフォーマンスと消費電力をニーズに合わせて調整できます。
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サムスンによれば、5nmチップと比較して、新しいチップは性能が23%高く、エネルギー消費が45%低く、面積が16%小さいという。第 2 世代では、パフォーマンスが 30% 向上し、効率が 50% 向上し、面積が 35% 小さくなるはずです。
「サムスンは、製造における次世代テクノロジーの応用においてリーダーシップを発揮し続け、急速に成長しています。当社は、MBCFETTM アーキテクチャを使用した最初の 3nm プロセスでもこのリーダーシップを継続することを目指しています。当社は今後も競争力のある技術開発において積極的に革新し、技術の成熟度の達成を加速するプロセスを構築していきます。」 サムスンの半導体事業責任者、シヨン・チェイ氏はこう語った。
